半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試 非接觸渦流法GBT6616-2023.pdf
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半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試 非接觸渦流法GBT6616-2023.pdf
《半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試 非接觸渦流法GBT6616-2023》講解了針對半導體材料及其薄膜特性測試的方法規范，具體聚焦在使用非接觸渦流法測量晶片電阻率和薄膜的薄層電阻。文檔闡述了渦流探頭的設計要求以及檢測系統性能校準，包括溫度控制條件等環境影響因素的處理，旨在提供高精度的測試環境。同時，詳細列明了樣品制備過程中的規范步驟，確保樣本的一致性和代表性。對于測試過程中的誤差來源進行了剖析并給出相應的解決方案或建議以降低不確定性。該標準強調測試結果表達需遵循一定的格式，并配套實例演示了從數據獲取到處理的全過程，為使用者提供了清晰的操作流程與評判依據。
《半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試 非接觸渦流法GBT6616-2023》適用于半導體研發制造企業，尤其專注于硅、砷化鎵等常用半導體材料的研究機構和個人。它同樣適合于高等院校、科研院所等從事相關材料科學研究的部門，作為指導文件幫助實驗人員規范測試操作流程，提升實驗結果可靠性，促進研究成果標準化發展。對參與半導體器件性能評估及質量監控的技術人員具有重要參考價值，有助于建立和完善國內半導體材料特性參數的測量體系。
