集成電路TSV三維封裝可靠性試驗方法指南GBZ 43510-2023.pdf

上傳人：一***

文檔編號：380514

上傳時間：2025-03-23

格式：PDF

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關鍵詞：: 集成電路TSV三維封裝可靠性試驗方法指南GBZ 43510-2023 集成電路 TSV 三維封裝可靠性試驗方法指南 GBZ 43510 2023

資源簡介：: 《集成電路TSV三維封裝可靠性試驗方法指南》講解了硅通孔（TSV）三維封裝工藝開發和驗證的可靠性試驗方法。文檔提供了有關先通孔、中通孔及后通孔三種不同工藝流程的具體測試指導方案，明確了芯片-封裝交互作用、疊層、凸點下金屬、硅通孔等關鍵術語，并從定義出發對這些技術要點予以闡釋。規范性引用文件列明多種國內外半導體器件試驗標準，包括強加速穩態濕熱試驗、快速溫度變化雙液槽法等多類實驗內容，并結合具體標準對TSV封裝技術可能面臨的問題提出解決建議。通過采用上述方法，可有效提升TSV三維封裝的可靠性和整體性能水平，降低實際應用場景中的失效風險，確保在復雜的工藝過程中實現高質量的制造目標。

《集成電路TSV三維封裝可靠性試驗方法指南》適用于從事半導體器件研發、生產以及質量控制的專業領域，特別是與TSV三維封裝相關的技術人員。這一文檔能夠為涉及先通孔、中通孔和后通孔制造工藝的單位提供指導，如半導體器件制造商、科研機構和設計企業等，同時也有助于國家相關行業標準體系構建，為制定和優化產業政策、促進科技創新與發展奠定基礎。

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